Samsung está produzindo DRAM LPDDR5 de 16 GB para smartphones de última geração

Samsung está produzindo DRAM LPDDR5 de 16 GB para smartphones de última geração

A Samsung iniciou a produção em massa do primeiro DRAM LPDDR5 de 16 GB (taxa de dados duplo de baixa potência 5) projetado para smartphones de última geração.

DRAM LPDDR5 de 16 GB para smartphones

Em julho do ano passado, a Samsung anunciou a produção em massa de sua primeira DRAM móvel de 12 GB LPDDR5. A empresa diz que o novo avanço de 16 GB permitirá recursos aprimorados de 5G e inteligência artificial em smartphones, incluindo jogos graficamente intensivos e fotografia inteligente. Além disso, a empresa diz que a DRAM ofereceria suporte a “jogabilidade dinâmica e responsiva, além de gráficos de resolução ultra-alta em smartphones premium para experiências de jogos móveis altamente imersivas”.

Os chips de 16 GB são construídos em seu processo de segunda geração de 10 nanômetros. Assim como as versões de 12 GB, o LPDDR5 de 16 GB possui taxas de transferência de dados de 5.500 megabits por segundo, o que é cerca de 1,3 vezes mais rápido que o LPDDR4X (4.266 Mb/s).

Além disso, a Samsung disse que, em comparação com um pacote LPDDR4X de 8 GB, a nova DRAM móvel oferece mais de 20% de economia de energia e fornece até o dobro da capacidade.

O pacote de 16 GB é composto por oito chips de 12 gigabit e quatro chips de 8 Gb. Dessa maneira, observe que aumentar a memória para 16 GB fornecerá aos dispositivos móveis a mesma quantidade (ou mais) de memória da maioria dos PCs.

Samsung está produzindo DRAM LPDDR5 de 16 GB para smartphones de última geração
Imagem: Reprodução | Tech Spot.

Presente e futuro

Além disso, a memória LPDDR5 da Samsung já pode ser encontrada no Galaxy S20 Ultra, que possui até 16 GB de RAM.

A empresa sul-coreana não é a única produtora de LPDDR5. Recentemente, foi anunciado que a Micron começou a enviar sua versão da DRAM.

Por fim, o próximo passo para a Samsung será a produção em massa de LPDDR5 de 16 Gb. Baseado na tecnologia de processo de terceira geração da classe 10 nm, ele terá uma taxa de transferência ainda mais rápida de 6.400 Mb/s.

Fonte: Tech Spot

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